巨磁电阻效应的应用及其研究成果分析（巨磁电阻效应的应用及其研究成果分析论文）
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巨磁电阻效应是什么?
巨磁电阻效应是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。
你好，巨磁阻效应原理是强磁性材料在受到外加磁场作用时引起的电阻变化，称为磁电阻效应。不论磁场与电流方向平行还是垂直，都将产生磁电阻效应。前者（平行）称为纵磁场效应，后者（垂直）称为横磁场效应。
巨磁电阻效应是指材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象。一般将其定义为GMR=H/R，其中H为在磁场H作用下材料的电阻率，R为无外磁场作用下材料的电阻率 。
巨磁电阻（GMR）效应是指用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象，一般将其定义为gmr=其中（h）为在磁场h作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。
所谓巨磁电阻（GMR）效应，是指某些磁性或合金材料的磁电阻在一定磁场作用下急剧减小，而Δr/r急剧增大的特性，一般增大的幅度比通常的磁性与合金材料的磁电阻约高10倍。利用这一效应制成的传感器称为GMR传感器。
请问2007年诺贝尔物理学奖“巨磁电阻”相关知识
巨磁电阻（GMR）原理，见图一。巨磁电阻（GMR）效应来自于载流电子的不同自旋状态与磁场的作用不同，因而导致的电阻值的变化。这种效应只有在纳米尺度的薄膜结构中才能观测出来。
本年度，法国科学家阿尔贝·费尔和德国科学家彼得·格林贝格尔因分别独立发现巨磁阻效应而共同获得2007年诺贝尔物理学奖。
瑞典皇家科学院9日宣布，法国科学家阿尔贝费尔和德国科学家彼得格林贝格尔共同获得2007年诺贝尔物理学奖。这两名科学家获奖的原因是先后独立发现了巨磁电阻效应。
巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。巨磁阻效应在高密度读出磁头、磁存储元件上有着广泛的应用。随着技术的发展，当存储数据的磁区越来越小，存储数据密度越来越大，这对读写磁头提出更高的要求。
巨磁电阻技术的应用
1、巨磁阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减小的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值约高10余倍。本文将深入探究巨磁电阻技术在硬盘等数码电子产品中的应用。利用磁介质存储信息硬盘利用磁介质来存储信息。
2、利用巨磁电阻效应还能制造出巨磁电阻位移传感器和角速度传感器等。其应用范围会越来越广。
3、连接电路：首先需要将巨磁电阻连接到要测量的电路中。通常会使用导线将电路连接起来，确保连接稳固而不松动。加电流：接通电源，向巨磁电阻加上一定大小的电流，这将使其在磁场中发生变化。